Основной целью секции ключа является преобразование входного постоянного напряжения в модулированное по ширине импульса переменное напряжение. В следующих каскадах для подъема или снижения импульса переменного тока может использоваться трансформатор, и, наконец, выходной каскад преобразует переменный ток в постоянный выходной ток. Для того чтобы выполнить преобразование постоянного тока в переменный, ключ функционирует только в состояниях насыщения и отсечки.
Сегодня используются два типа ключей: биполярный мощный транзистор (плоскостной) и мощный полевой МОП-транзистор. Транзистор IGBT (Integrated Gate Bipolar Transistor — биполярный транзистор с интегрированным затвором) исполь¬зуется в высокомощных промышленных приложениях, таких как источники питания мощностью » 1 кВт и электронные приводные устройства. Транзистор IGBT медленнее отключается, чем полевой МОП-транзистор, поэтому обычно используется на частотах переключения ниже 20 кГц.